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光刻

工藝能力

涂膠:旋涂

普通光阻:正膠/負(fù)膠

特殊光阻:SU8/Polyide

曝光:I-Line步進(jìn)式,1X接近式/接觸式,單面/雙面曝光

顯影

涂膠顯影機(jī)(SUSS):Arm傳送方式,涂膠顯影盤邊緣吸附,一體化為MEMS結(jié)構(gòu)器件定制設(shè)備,有多種膠管支撐工藝選擇。

雙面曝光機(jī)(SUSS):支持雙面曝光,正面曝光對準(zhǔn)精度1um,背面曝光對準(zhǔn)精度1.5um,支持最小CD尺寸2um工藝。

步進(jìn)光刻機(jī)(Ultatech Stepper):
①核心光刻性能參數(shù)
光源波長:365 nm(i-line紫外光源) 
分辨率:0.5 µm(光刻膠厚度1µm條件下) 
曝光均勻性:≤±1.5%
②對準(zhǔn)與精度系統(tǒng)
對準(zhǔn)精度≤ 120 nm 
套刻精度≤ 110 nm 

光刻機(jī)



步進(jìn)光刻機(jī)原理

光刻機(jī)實(shí)際操作圖

 

 

光刻

工藝能力

涂膠:旋涂

普通光阻:正膠/負(fù)膠

特殊光阻:SU8/Polyide

曝光:I-Line步進(jìn)式,1X接近式/接觸式,單面/雙面曝光

顯影

涂膠顯影機(jī)(SUSS):Arm傳送方式,涂膠顯影盤邊緣吸附,一體化為MEMS結(jié)構(gòu)器件定制設(shè)備,有多種膠管支撐工藝選擇。

雙面曝光機(jī)(SUSS):支持雙面曝光,正面曝光對準(zhǔn)精度1um,背面曝光對準(zhǔn)精度1.5um,支持最小CD尺寸2um工藝。

步進(jìn)光刻機(jī)(Ultatech Stepper):
①核心光刻性能參數(shù)
光源波長:365 nm(i-line紫外光源) 
分辨率:0.5 µm(光刻膠厚度1µm條件下) 
曝光均勻性:≤±1.5%
②對準(zhǔn)與精度系統(tǒng)
對準(zhǔn)精度≤ 120 nm 
套刻精度≤ 110 nm 

光刻機(jī)



步進(jìn)光刻機(jī)原理

光刻機(jī)實(shí)際操作圖

 

 

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