涂膠:旋涂
普通光阻:正膠/負(fù)膠
特殊光阻:SU8/Polyide
曝光:I-Line步進(jìn)式,1X接近式/接觸式,單面/雙面曝光
顯影
涂膠顯影機(jī)(SUSS):Arm傳送方式,涂膠顯影盤邊緣吸附,一體化為MEMS結(jié)構(gòu)器件定制設(shè)備,有多種膠管支撐工藝選擇。
雙面曝光機(jī)(SUSS):支持雙面曝光,正面曝光對準(zhǔn)精度1um,背面曝光對準(zhǔn)精度1.5um,支持最小CD尺寸2um工藝。
步進(jìn)光刻機(jī)(Ultatech Stepper):
①核心光刻性能參數(shù)
光源波長:365 nm(i-line紫外光源)
分辨率:0.5 µm(光刻膠厚度1µm條件下)
曝光均勻性:≤±1.5%
②對準(zhǔn)與精度系統(tǒng)
對準(zhǔn)精度≤ 120 nm
套刻精度≤ 110 nm
涂膠:旋涂
普通光阻:正膠/負(fù)膠
特殊光阻:SU8/Polyide
曝光:I-Line步進(jìn)式,1X接近式/接觸式,單面/雙面曝光
顯影
涂膠顯影機(jī)(SUSS):Arm傳送方式,涂膠顯影盤邊緣吸附,一體化為MEMS結(jié)構(gòu)器件定制設(shè)備,有多種膠管支撐工藝選擇。
雙面曝光機(jī)(SUSS):支持雙面曝光,正面曝光對準(zhǔn)精度1um,背面曝光對準(zhǔn)精度1.5um,支持最小CD尺寸2um工藝。
步進(jìn)光刻機(jī)(Ultatech Stepper):
①核心光刻性能參數(shù)
光源波長:365 nm(i-line紫外光源)
分辨率:0.5 µm(光刻膠厚度1µm條件下)
曝光均勻性:≤±1.5%
②對準(zhǔn)與精度系統(tǒng)
對準(zhǔn)精度≤ 120 nm
套刻精度≤ 110 nm